Giới thiệu sản phẩm:

Thông số kỹ thuật:

Công nghệ tiên tiến kích hoạt các phân tích độ nhạy cực cao trong các vùng mẫu vi mô. Lợi ích của công nghệ tiên tiến mang lại gồm:
- Độ phân giải hình ảnh electron thứ cấp 3nm (điện áp gia tốc 30 kV) là mức cao nhất cho hệ thống EPMA.
- Chùm tia lớn cho phép phân tích độ nhạy cực cao. Hệ thống này đạt được cường độ dòng cực đại 3,0μA (điện áp gia tốc 30 kV).
- Có thể trang bị tới 5 buồng quang phổ tia X độ nhạy cao.
- Các thao tác đơn giản và dễ hiểu cho tất cả các phân tích.
- Ánh xạ độ nhạy cực cao
- Nguồn phát Schottky độ sáng cao
- Hệ thống quang học điện tử EPMA đặc biệt có cấu hình và phương pháp điều khiển độc quyền
(Bằng sáng chế Nhật Bản số 4595778).
Hệ thống hút chân không siêu cao.

Hệ thống quang điện tử:
- Nguồn phát điện tử: Schottky
- Độ phân giải ảnh SEM: 3nm
- Điện áp gia tốc: 0,5kV - 30kV
- Dòng điện: 0,2nA - 3µA
- Độ phóng đại: 40× đến 400,000×
- Đầu thu BSE: 4 khối, bán dẫn
Hệ thống quang học quan sát:
- Độ phân giải: 1µm
- Trường nhìn: ~????600µm/ 480µm × 360µm
- Độ sâu vật thể: 4µm
Bàn mẫu:
- Kích thước mẫu lớn nhất: 100mm × 100mm × 50mm, 2kg
Hệ thống quang phổ tia X:
- Dải nguyên tố phân tích: 4Be～92U
- Số buồng trang bị: 2-5 buồng
- Góc phản xạ tia X: 52.5°
- Bán kính vòng Rowland: 4inch (101,6mm)
Hệ thống chân không:
- Mức độ chân không buồng phân tích: 1,0×10-3Pa max
- Mức độ chân không trong buồng súng ion: 3,5×10-7Pa max
Chế độ phân tích của phần mềm: Phân tích định tính, phân tích bản đồ, phân tích định lượng, phân tích đường chuẩn, phân tích trạng thái, phân tích đường phổ.
- Chức năng phân tích tự động: tự động lên trình tự phân tích, chế độ phân tích đơn giản.

Đánh giá & bình luận: